金属有机化学废气处理

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金属有机化学废气处理

随着高新技术的发展,对环境造成了新的污染。例如,金属有机化学气相沉积(MOCVD)是一种非常重要的外延生长方法,是近年来发展起来的一种生长电子的新技术,在有机废气处理中发挥了巨大的作用。

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金属有机化学气相沉积是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新的气相外延生长技术。它以第三族和第二族元素的有机化合物和第五族元素的氢化物为晶体生长原料,以热分解反应的方式在衬底上进行气相外延,生长出各种第三-五族、第二-六族化合物半导体及其多元固溶体的薄膜单晶材料。

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与传统的氯化物输运外延(VPE)相比,有机化学气相沉积具有以下优点:

1.增长很容易控制。

2.可以进行大规模生产。

3.可以生长高纯度的材料。

4.外延层大面积均匀性好。

5.非常适合生长各种异质结构材料。

6.可以生长超薄外延层,并且可以获得非常陡峭的界面转变。

7.应用范围很广,几乎所有的化合物和合金半导体都可以生长。

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有机化学气相沉积的发展趋势是通过改变源气体的供给方式或衬底的悬浮和旋转,实现大面积、大批量、高均匀性和陡峭过渡界面层的计算机控制生产,从而实现有机废气处理。

主化学气相沉积技术的大多数主要缺点与所用的反应源有关。首先,所用的金属有机化合物和氢化物来源很昂贵。第二,一些来源是易燃、易爆或有毒的,因此存在一定的风险。另外,反应后的产物需要是无害的处理,以免造成环境污染。此外,由于采用的源包含其他元素(如碳、氢等。),需要仔细控制反应过程,以避免引入无意掺杂的杂质。

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